Electrónica

Tecnología de fabricación CMOS con dimensión mínima de 0.8 um

Como integrante de la plataforma nacional para el desarrollo y fabricación de sensores y actuadores inteligentes aplicados en energía, salud y seguridad iSensMex (https://inaoep.mx/iSensMEX/), en el LIMEMS actualmente se desarrolla una tecnología CMOS con una dimensión mínima de 0.8 µm. Este proceso de fabricación incorpora diversos materiales electrónicos (procesados como películas delgadas) sobre obleas de silicio, dando como resultado una tecnología que ofrece mayores prestaciones que las tecnologías con dimensiones similares ofrecidas por la industria. Permite dos niveles de metalización y usa dieléctricos de baja constante dieléctrica como aislante entre metales para aumentar las frecuencias de operación de los dispositivos integrados. Para la reducción de la resistencia de contacto en las regiones de fuente y drenaje, se usan disilisuros de metales con alto punto de fusión (procesados con tratamientos térmicos rápidos). Para cada uno de los módulos de proceso CMOS, se usan de manera exhaustiva herramientas de CAD como Silvaco (Suprem, Sentaurus) para la simulación de procesos de fabricación de estructuras y caracterización eléctrica inicial de las mismas y esto se combina con HSpice para la simulación eléctrica de los dispositivos o circuitos integrados ya fabricados. De manera paralela se está optimizando el proceso de micromaquinado superficial denominado PolyMEMS-INAOE, el cual ofrece dos niveles de silicio policristalino para la fabricación de MEMS especializados, que en conjunto con las técnicas de micromaquinado en volumen, completan las tecnologías mínimas requeridas para la integración monolítica de MEMS (https://www-elec.inaoep.mx/laboratorios/centro-de-diseno-de-mems).