INAOE

Laboratorio de Innovación en MEMS - LIMEMS

En el LIMEMS se fabrican prototipos de sensores, circuitos integrados, celdas solares y MEMS con incorporación de materiales nanoestructurados obtenidos mediante diversas técnicas de depósito de materiales como a-Si:H, a-Ge:H, a-C:H y sus aleaciones con N, O, Ge, C, crecimiento y depósito de materiales dieléctricos como SiO2, Si3N4, Al2O3, HfO2, HfSiO, La2O3, LaSiO, depósito de materiales metálicos como Al, poly-Si, Ti, Pt, W, Cu, Mo entre otros. Actualmente, se encuentra en desarrollo un proceso de fabricación CMOS con dimensión mínima de 0.8 µm, que mediante la incorporación de diversos materiales (semiconductores, dieléctricos y metálicos) resultará útil para la fabricación de CIs que operen en el rango de frecuencias actualmente usados en comunicaciones inalámbricas.

Laboratorio LIMEMS (Planta baja)

El LIMEMS tiene un área de 600 m2 que alberga 7 módulos de procesamiento de materiales. Cuenta con áreas de cuarto limpio clase 10 en el módulo de generación de mascarillas y fotolitografía, clase 100 en el módulo de limpiezas y secado, tratamientos térmicos, implantación de iones, depósito de películas delgadas, grabado de materiales y pruebas y caracterización, así como clase 1000 en el área de servicios. El LIMEMS fue diseñado y construido por investigadores del INAOE utilizando tecnología propia, con un corredor central principal que da acceso a los diferentes módulos de proceso:

M1. Generación de mascarillas y fotolitografía.
M2. Limpiezas, secado y revelado.
M3. Procesos térmicos
M4. Implantación de iones.
M5. Depósitos de películas delgadas.
M6. Grabado anisotrópico de materiales.
M7. Pruebas y caracterización.

Distribución de Módulos de proceso del LIMEMS


^{Vestidor previo al ingreso al laboratorio.}	^{Regadera de aire.}


^{Corredor central de LIMEMS de acceso}	^{a los diversos módulos de fabricación.}

M1. Generación de mascarillas y fotolitografía


^{Generador de patrones DW66.}	^{Inspección visual de patrones geométricos.}

^{Generador de patrones en oblea (wafer stepper).}	^{Verificación de proceso step-and repeat.}

^{Sección de revelado de mascarillas.}


^{Mascarilla con patrones geométricos.}	^{Fotoalineadora.}

M2. Limpiezas, secado y revelado


^{Estaciones de trabajo.}	^{Estación de limpieza, desengrasado y revelado en obleas de Si.}

^{Estación de grabado químico húmedo de materiales y limpiezas RCA.}


^{Secadora (critical dryer).}	^{Grabador húmedo por vapor de HF.}

^{Equipos para curado de fotoresinas y polímeros.}

^{Hornos de curado de fotoresinas, spin-on-dopant y polímeros (horno por vapor y convencional).}

M3. Tratamientos térmicos: difusiones, oxidaciones y depósitos CVD


^{Pasillo de hornos.}	^{Hornos para oxidaciones térmicas, difusión, LPCVD.}

^{Robot para manejo de obleas en hornos.}	^{Sistema de procesos térmicos rápidos (RTP).}

M4. Implantación de iones

^{Sistema de implantación de iones IMX-3500 (Disponible en 2024).}

M5. Depósitos de películas delgadas


^{Sputtering para depósito de películas metálicas.}	^{Operación del sistema de sputtering.}

^{Evaporadora por haz de electrones en alto-vacío.}	^{Operación de la evaporadora a 25°C.}

^{Sistema de depósito por capas atómicas (ALD): materiales dieléctricos con alta uniformidad, reproducibilidad y calidad.}

M6. Grabado de materiales: metales y óxidos por RIE, DRIE


^{Sistema de grabado seco profundo (DRIE).}	^{Grabado seco DRIE de obleas de silicio.}

^{Sistema de grabado por iones reactivos (RIE).}	^{Grabado RIE de películas dieléctricas.}

^{Sistema de grabado químico por plasma (asher).}	^{Grabado seco asher de polímeros.}

M7. Pruebas y caracterización: eléctricas y ópticas

^{Distribución de equipos de pruebas físicas, eléctricas y ópticas.}


^{Medidor de dimensiones críticas.}	^{Elipsómetro para medición de espesores.}

^{Perfilómetro para medición de escalones.}	^{Medidor de resistividad.}