Electrónica

Dr. Mariano Aceves Mijares

Correo Electrónico: maceves@ieee.org

Teléfono: +52 222 266 31 00 ext. 1403

Oficina: 1403

 

Información Curricular:

Doctorado obtenido en: Centro de Investigación Científica y Estudios Superiores de Ensenada, en 1996.
Título de Tesis: "Estudio de las propiedades de conducción del dispositivo AI/SRO/Si y su posible aplicación a celdas de entrada de circuitos integrados".
Diciembre de 1996.

 

Maestría en Ciencias obtenida en: Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica.
Título de Tesis: "Aumento en la beta de transistores debido a tratamientos térmicos",
Diciembre 1977

 

Licenciatura obtenida en: Escuela Superior de Física y Matemáticas, I.P.N.
Título de Tesis: "El Diodo Schottky a corriente continua",
Febrero de 1973.

 

Líneas de Investigación:

• Emisión de luz en silicio

• Circuito Optoelectrónico en silicio

 

Proyectos:

“Investigación y desarrollo de una plataforma de integración fotónica en silicio: materiales nanoestructurados, elementos activos y pasivos y circuitos CMOS” proyecto: 2016-01-1625, Aprobado en la convocatoria de fronteras de la ciencia de CONACyT (2017)

 

Últimas Tesis Dirigidas:

Doctorado

“Análisis, diseño, fabricación y caracterización de los elementos básicos para integración de un circuito fotónico totalmente en silicio” Jesús Alarcon, 2017.

 

Maestría

Efecto de la rugosidad en el sustrato en las características electro-ópticas en capacitores emisores de luz” Joaquín Hernández, 2017

 

Publicaciones Recientes:

• “On the role of the atomic bond types in light emission from Si nanoparticles” A. A. González-Fernández, J. Juvert, M. Aceves-Mijares, and C. Dominguez-Horna. AIP Advances 7, 055109 (2017);doi:10.1063/1.4983568, View online: http://dx.doi.org/10.1063/1.4983568

• “Luminescent Properties of Silicon Nanocrystals: Spin on Glass Hybrid Materials” Marco Antonio Vásquez-Agustín, Orlando Cortazar-Martínez, Alfredo Abelardo González-Fernández, José Alberto Andraca-Adame, Alfredo Morales-Sánchez and Mariano Aceves-Mijares. Appl. Sci. 2017, 7, 72; doi:10.3390/app7010072 (ISSN 2076-3417)

• “Study of narrow and intense UV electroluminescence from ITO/SRO/Si-p and ITO/SRN/SRO/Si-p based lightemitting capacitors S. A. Cabañas-Tay, L. Palacios-Huerta, M. Aceves-Mijares, A. Coyopol, F. Morales-Morales, S. A. Pérez-García, L. Licea-Jiménez, C. Domínguez-Horna, K. Monfil-Leyva, A. Morales-Sánchez. Journal of Luminescence 183 (2017), 334–340, http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2016. 11.043

• “Enhancing emission and conduction of light emitting capacitors by multilayered structures of silicon rich oxide” J. Alarcón-Salazara, I.E. Zaldívar-Huerta, A. Morales-Sánchez, C. Domínguez, J. Pedraza-Chávez, M. Aceves-Mijares. Sensors and Actuators A: Physical 265 (2017) 306–312. http://dx.doi.org/10.1016/j.sna.2017.08.047

• “On the role of the atomic bond types in light emission from Si nanoparticles” A. A. González-Fernández, J. Juvert, M. Aceves-Mijares, and C. Dominguez-Horna. AIP Advances 7, 055109 (2017); Doi: 10.1063/1.4983568, http://dx.doi.org/10.1063/1.4983568

• “Nanocrystalline Si/SiO2 core-shell network with intense white light emission fabricatedby hot-wire chemical vapor deposition”Y. Matsumoto, A. Dutt, G. Santana-Rodríguez, J. Santoyo-Salazar, and M. Aceves-Mijares. Applied Physics Letters 106, 171912 (2015); doi: 10.1063/1.4919527

• “Design and simulation of an integrated waveguide and sensor: towards a completeoptoelectronic circuit on silicon”J. Alarcón-Salazar, M. Aceves-Mijares, I. E. Zaldívar-Huerta and Jorge Pedraza.Sensors (IBERSENSOR), 2014 IEEE 9th Ibero-American Congress on, Date of Conference: 15-18 Oct. 2014,Page(s): 1 - 4, Print ISBN: 978-1-4799-6835-0, DOI: 10.1109/IBERSENSOR.2014.6995545, Publisher: IEEE

• “Analysis of the luminescent centers insilicon rich silicon nitride light-   emittingcapacitors” S A Cabañas-Tay, L Palacios-Huerta, J A Luna-López,M.  Aceves-Mijares, S Alcántara-Iniesta, S A Pérez-García and A Morales-Sánchez.