Electrónica

Dr. Alfredo Morales Sánchez

SNII NIVEL 2
INVESTIGADOR TITULAR C. 

Correo Electrónico: alfredom@inaoep.mx

Teléfono: +52 222 266 31 00 ext. 2115

Oficina:2115

Información Curricular:

Posdoctorado obtenido en:

Centro de Nanociencias y Nanotecnología (CNyN–UNAM). 2010

Doctorado obtenido en:

Universidad Autónoma de Barcelona (UAB) e Instituto de Microelectrónica de Barcelona (IMB–CNM, CSIC), 2008.

Título de Tesis: “Correlation between optical and electrical properties of materials containing nanoparticles”.

Maestría en Ciencias obtenida en:

Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica (INAOE). 2003.

Título de Tesis: “Estudio de la fotoluminiscencia de películas de óxido rico en silicio”.
Licenciatura obtenida en: 

Benemérita Universidad Autónoma de Puebla (BUAP). 2001

 

Líneas de Investigación:

• Materiales nanoestructurados.

• Dispositivos de conmutación resistiva (memristores).

• Materiales y dispositivos emisores de luz.

• Fotodetectores autoalimentados.

 

Proyectos:

CONACYT A1-S-8205. Responsable Técnico.

"Estudio de la conmutación resistiva en nanocristales de silicio a través de estructuras multicapa”.

CONACYT–180992. Responsable Técnico.

“Estudio de las propiedades optoelectrónicas de materiales nanoestructurados basados en silicio”.

CONACYT – 269359. Responsable Técnico.

“Fortalecimiento de la infraestructura científica para la deposición física de materiales con aplicaciones al desarrollo de dispositivos fotónicos y fonónicos”.

 

Últimas Tesis Dirigidas:

Doctorado

Jesús Miguel Germán Martínez, “Estudio y desarrollo de dispositivos de conmutación resistiva basados en nanocristales de silicio”. INAOE. Noviembre 2025.
Braulio Palacios Márquez, “Propiedades electro-ópticas en estructuras tipo MOS base silicio”, CIMAV. Diciembre 2024.
Juan Federico Ramirez Rios, “Estudio y simulación de estructuras basadas en ZnO y Si para su aplicación en dispositivos de conmutación resistiva bipolar”. INAOE. Agosto 2024.
José Juan Avilés Bravo, “Estudio de la formación de nanopirámides de silicio en la interfaz SiOx/Si y su comportamiento electro-óptico en estructuras tipo MOS”. INAOE. Febrero 2024.

Maestría

Daniel Antuhan Hernández Lepe, “Síntesis de nano y microestructuras de ZnO por microemulsión bicontinua para aplicaciones en optoelectrónica”. CIMAV. Agosto 2021.

Braulio Palacios Márquez, “Estudio del efecto del contenido de nitrógeno en películas delgadas de óxido de silicio”. CIMAV. 2018.

Alma Lizet Salazar Valdez. “Estudio de las propiedades ópticas y eléctricas de películas de SiOx obtenidas por sputtering”. BUAP. 2018.

 

Publicaciones Recientes:

• E Williams-Linera, A Méndez-Reséndiz, S A Pérez-García, L Licea-Jiménez* and A. Morales-Sánchez*, “Influence of Oxidation Degree on the Resistive Switching Properties of Graphene Derivatives”, Diamond & Related Materials 166 (2026) 113703. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2026.113703

• A Vázquez-Jiménez, M Moreno-Moreno, L Palacios-Huerta, P Rosales-Quintero and A Morales-Sánchez, “Low-voltage and high-reliability resistive switching in Si3N4:Si-NCs memristor structures”, Journal of Semiconductors, 2025, 47. https://doi.org/10.1088/1674-4926/25100015 

• G O Mendoza Conde, J A Luna López, Z J Hernández Simón, J A D Hernández De la Luz, A Luna Zempoalteca, X A Morán Martínez, M Moreno Moreno, A Morales-Sánchez, E Paz Totolhua, J Flores Méndez, “White electroluminescence in heterostructures based on carbon nanotubes and silicon oxides”, J of Alloys and Compounds 1051 (2026) 185919. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2025.185919 

• A Coyopol, A Morales-Sánchez, A Alvarado-García, R Romano-Trujillo, G García-Salgado, E Rosendo, C Morales, “Highly photoluminescent polymer films deposited on glass and flexible substrates based on partially oxidized silicon nanocrystals”, Optical Materials 173 (2026) 117841.  

https://doi.org/10.1016/j.optmat.2025.117841 

• A Morales–Sánchez, K. E. González–Flores, J. M. Germán–Martínez, B. Palacios-Márquez, J. F. Ramírez–Rios, J. Flores–Méndez, A. Benítez–Lara, J. R. Ramos–Serrano, L. Hernández–Martínez and M. Moreno–Moreno, “Influence of the Si-layer thickness on the structural, composition, and resistive switching properties of SiO2/Si/SiO2 stack layers for resistive switching memories”, Materials 2025, 18, 5539 https://doi.org/10.3390/ma18245539 

• B Palacios–Márquez, Z Montiel-González, S A Pérez-García, M Moreno, and A Morales–Sánchez, “Negative differential resistance and resistive switching behavior in broad-spectrum electroluminescent devices based on Si3N4/Si thin films deposited by E-beam”, Applied Surface Science 682, 2025, 161768. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2024.161768 

 

Página Personal:

https://publons.com/researcher/1755828/alfredo-morales-sanchez/