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INAOE

Electrónica

 

Dr. Alfonso Torres Jacome

SNI NIVEL 2
INVESTIGADOR TITULAR C

Correo Electrónico: atorres@inaoep.mx

Teléfono: +52 222 266 31 00 ext. 1418

Oficina: 1418

 

Información Curricular:

Doctorado obtenido en: INAOE, México, en 1997.
Título de Tesis: "Silicon Based Photodetectors".


Maestría en Ciencias obtenida en: University of New Mexico, Alburquerque, NM, USA, en 1991.
Título de Tesis: "Fabrication Process for Tranverse Junction Vertical Cavity Surface Emitting Laser".


Licenciatura obtenido en:Esc. de Ing. Química, UAP en 1976.
Título de Tesis: "Diseño y Construcción de una Torre de Destilación Tipo Flash para Mezclas Binarias".

 

Líneas de Investigación:

  • Física y tecnologías de fabricación de sensores, dispositivos semiconductores y circuitos integrados, materiales nanoestructurados.

Proyectos:

Vigentes

  • Desarrollar un proceso BiCMOS de 0.8 ?m para circuitos integrados, dentro del proyecto interinstitucional “Plataforma para el desarrollo y fabricación de sensores y actuadores inteligentes aplicados en energía, salud y seguridad – iSensMEX”.

  • "Sistemas de recolección de energía (energy harvesting)".

 

Últimas Tesis Dirigidas:

Doctorado

  • M. en C. Ernesto Franco Pastrana, “Obtención y caracterización de aleaciones ternarias amorfas  de Si, Ge y P y su uso como materiales termoeléctricos de lata zT”, 12 de mayo de 2026.

  • M. en C. Jael Marisol Carmona Sánchez, “Amorphous GeSn Thin Films via Solid-State Sn Diffusion: Synthesis, Structural Evolution, and Thermoelectric Performance”, 24 de agosto de 2026.

  • M. en C. Israel Emmanuel Zapata de Santiago, “Recolectores de energía termoeléctricos en base de pm-SiGe”, 14 de diciembre de 2022.

  • M. en C. Carlos Roberto Ascencio Hurtado, "Materiales termoeléctricos para sistemas de recolección de energía”, bajo la dirección del Dr. Alfonso Torres Jacome y la codirección del Dr. Roberto Carlos Ambrosio Lázaro , 31 de agosto de 2021.

Maestría

  • Oscar Iván Ramírez Medina, “Procesos RTP en obleas de 4” de diámetro: formación de siliciuros”, 29 de octubre de 2024

  • Ing. Jael Marisol Carmona Sánchez, "Depósito y caracterización de a-GeSn para aplicaciones como material termoeléctrico",  bajo la dirección del Dr. Alfonso Torres Jacome, 10 de agosto del 2021.

  • Ing. Michel Ivan Pelcastre Ortega, "Síntesis de grafeno mediante PECVD”, bajo la dirección del Dr. Alfonso Torres Jacome. 13 de agosto de 2021.

 

Publicaciones Recientes:

  • Jael Marisol Carmona-Sánchez, Armando Hernández-Flores, Jhonny Tiscareño-Ramírez , José Juan Aviles-Bravo , Víctor Aca-Aca, Netzahualcoyotl Carlos Ramirez, Dan Buca, Alfonso Torres Jacome; “Formation and structural characterization of amorphous GeSn thin films via solid-state Sn diffusion into hydrogenated amorphous germanium”, Journal of Alloys and Compounds 1074 (2026) 189195.

  • Ernesto Franco Pastrana, and Alfonso Torres Jacome, “Amorphous ternary alloys Si Ge B in thin film deposited by LFPECVD morphology and electrical properties”, American Journal of Engineering Research (AJER) e-ISSN: 2320-0847 p-ISSN: 2320-0936 Volume-15, Issue-2, pp-35-43.

  • Oscar Velandia, Alfonso Torres, Alfredo Morales, Luis Hernández, Alberto Luna, Javier Flores, Gustavo M. Minquiz, Ricardo Jiménez, and Mario Moreno; “Uncooled Microbolometers Based on Nitrogen-Doped Hydrogenated Amorphous Silicon-Germanium (a-SiGe:H,N)”, Inorganics 2025, 13, 126, https://doi.org/10.3390/inorganics13040126.

  • Mario Moreno, Maricela Meneses, Juan R. Ramos, Alberto Luna, Zaira J. Hernandez, Javier Flores, Alfonso Torres, Alfredo Benitez, Arturo Ponce, Alfredo Morales; “Enhancement of the photoluminescent intensity of amorphous silicon carbide (a-Si1-xCx:H) by the formation of small nanocrystals during the film preparation at low temperature”; Journal of Alloys and Compounds, 1043 (2025) 184265, doi.org/10.1016/j.jallcom.2025.184265.

  • J.R. Ramos-Serrano, M. Meneses, A. Morales, A. Torres, J. Flores, M. Moreno, “Influence of the substrate conductivity type on the electroluminescence properties of PP+IN and PIN+N diodes based on amorphous silicon carbide (a-Si1-xCx:H) / crystalline silicon (c-Si) heterostructures”; Journal of Alloys and Compounds, 985(2024)174047, doi.org/10.1016/j.jallcom.2024.174047.

  • A. F. Jaramillo-Alvarado, A. Torres Jacome, P. Rosales-Quintero, G. Diaz-Arango, and H. Vazquez-Leal, “Nonlinear effects and applications of AlN: A comprehensive physical formulation approach”, Revista Mexicana de Física 70 011004 1–6, doi.org/10.31349/RevMexFis.70.011004.

Cápitulos de Libros:

  • “Amorphous, Polymorphous, and Microcrystalline Silicon Thin Films Deposited by Plasma at Low Temperatures”; Mario Moreno, Roberto Ambrosio, Arturo Torres, Alfonso Torres, Pedro Rosales, Adrián Itzmoyotl and Miguel Domínguez. Capitulo 8 de “Crystalline and Non-crystalline Solids” Edited by Pietro Mandracci, ISBN 978-953-51-2446-7, Print ISBN 978-953-51-2445-0, 182 pages, Publisher: InTech, Chapters published June 29, 2016 under CC BY 3.0 license DOI: 10.5772/61501.

 

Última actualización:
06-10-2026 / 14:11 por: Valeria Rodríguez

 

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