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INAOE | Electrónica | Directorio | Investigadores | Roberto Murphy Arteaga
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Dr. Roberto Stack

Murphy Arteaga

Correo Electrónico: rmurphy@inaoep.mx

Teléfono: +52 222 266 31 00 ext. 1407

Oficina:1407

 

 

Información Curricular:

Doctorado obtenido en: INAOE, julio 1997

Título de Tesis: Prospects for the MOS Transistor as a High-Frequency Device
 

Maestría en Ciencias obtenida en: INAOE, noviembre 1988
Título de Tesis: Bases para el Diseño y Fabricación de Circuitos Analógicos Integrados CMOS


Licenciatura obtenida en: St. John’s University, Collegeville, Minnesota, 1982

Título de Tesis: P-N Junction and MOSFET Capacitance

 

Líneas de Investigación:

  • Física de dispositivos semiconductores en altas frecuencias; modelado y caracterización de componentes pasivos para aplicaciones en altas frecuencias; antenas.

 

Proyectos: 

  • Física, modelado y caracterización de dispositivos semiconductores y componentes pasivos en altas frecuencias.

ULTIMAS Tesis DIRIGIDAS: 

Doctorado:

“Study of the MOS Transistor for Applications in RF Circuits”, Fabián Zárate Rincón.  INAOE, agosto 26, 2016

 

“Antennas for Millimeter-Wave Applications”, Luz Karine Sandoval Granados.  INAOE, junio 27, 2016. 

 

“Development of Methodologies for Characterization and Modeling of Devices for High Frequency Applications From Small-Signal S-Parameters”, Germán Andrés Álvarez Botero.  INAOE, agosto 16, 2013.
 

Maestría:

“Modelado, Medición y Caracterización de Inductores Integrados”, José Valdés Rayón, INAOE, febrero 26, 2016.

 

“Evaluación de Modelos y Metodologías para Caracterizar el TMOS en Altas Frecuencias”, Fabio Alejandro Ruiz Molina, INAOE, febrero 19, 2016.

 

Publicaciones Recientes:

  • “Development of Thick Film, CMOS Compatible Planar Millimetre-Wave Antenna for Antennas in Package Applications”, L.K. Sandoval, R. Murphy, Microsystem Technologies, Vol. 23, No. 7, julio 2017, pp. 2927-2930.

  • “Analytical Model Parameter Determination for Microwave On-Chip Inductors up to the Second Resonant Frequency”, J. Valdés, R. Torres, R. Murphy, Memoria Técnica de 2017 International Caribbean Conference on Devices, Circuits and Systems (ICCDCS 2017), Cozumel, Mexico, junio 5-7, 2017, pp. 25-28.

  • “On the Extraction Methods for MOSFET Series Resistance and Mobility Degradation using a Single Test Device”, A.Ortiz, A. Sucre, F. Zárate, R. Torres, R. Murphy, J.J. Liou, F. García, Memoria Técnica de 2017 International Caribbean Conference on Devices, Circuits and Systems (ICCDCS 2017), Cozumel, Mexico, junio 5-7, 2017, pp. 15-20.

  • “A review of DC extraction methods for MOSFET series resistance and mobility degradation model parameters”, A. Ortiz, A. Sucre, F. Zárate, R. Torres, R. Murphy, J.J. Liou, F. García, Microelectronics Reliability, Vol. 69, February 2017, pp. 1-16.

  • “Conductance-to-Current-Ratio-Based Parameter Extraction in MOS Leakage Current Models”, A. Ortiz, A. Sucre, R. Torres, J. Molina, R. Murphy, F. García, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 63, No. 10, October 2016, pp. 3844-3850.

  • Tunable Matching Network for Accurate Impedance Measurement of On-Chip and PCB Millimeter-Wave Antennas”, L.K. Sandoval, R. Murphy, Microwave and Optical Technology Letters, Vol. 58, No. 10, octubre 2016, pp. 2516-2518.

  • A DC Method to Extract Mobility Degradation and Series Resistance of Multifinger Microwave MOSFETs”, A. Sucre, F. Zárate, A. Ortiz, R. Torres, F. García, J. Muci, R. Murphy, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 63, No. 5, mayo 2016, pp. 1821-1826.

  • Characterization of Hot-Carrier-Induced RF-MOSFET Degradation at Different Bulk Biasing Conditions From S-Parameters”, F. Zárate, D. García, V. Vega, R. Torres, R. Murphy, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. 64, No. 1, enero 2016, pp. 125-132.

 

 


Última modificación :
01-11-2017 a las 10:24 por Laura Toxqui Olmos

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